per un miglior utilizzo dei semiconduttori
03.06 - Osservate e manipolate su scala atomica proprietà del grafene tali da migliorare sensibilmente l'integrazione con il carburo di silicio al fine di realizzare dispositivi sempre più efficienti. Lo studio è stato sviluppato nell'ambito di una collaborazione con il SuperSTEM Lab di Daresbury (Regno Unito), da un team di ricercatori dell'Istituto per la microelettronica e microsistemi del Cnr di Catania (Imm-Cnr) che ha effettuato una serie di misure al microscopio elettronico a scansione di strati di grafene “cresciuti” su superfici di carburo di silicio, materiale - quest'ultimo - alla base dell'attuale elettronica basata sul silicio. «Abbiamo seguito una tecnica detta di crescita epitassiale, che consiste nell'allineare, atomo per atomo, il grafene con la struttura atomica del carburo di silicio (SiC)», spiega il ricercatore Giuseppe Nicotra (Imm-Cnr). Aggiunge: «Come già noto in letteratura, questo processo determina la formazione di un primo monostrato di carbonio denominato “buffer layer”, che non ha le eccezionali proprietà fisiche ed elettroniche del grafene, essendo parzialmente legato agli atomi di silicio del substrato».
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